氧化铈和掺杂氧化铈作为高介电常数种子层在氧化铈纳米结构过度生长中的潜在用途研究进展
日期：
2024-08-22
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在现代电子设备中，金属-氧化物-半导体（MOS）器件的性能受到介电材料特性的显著影响。随着技术的发展，传统的低介电常数材料如二氧化硅已逐渐无法满足高性能设备的需求。因此，寻找具有更高介电常数（k）的新材料成为了研究的热点。氧化铈（CeO2）因其优异的介电性能而备受关注，但其应用仍面临诸多挑战。本综述详细探讨了氧化铈及其掺杂形式作为高介电常数种子层的潜力。研究首先介绍了纳米结构薄膜，特别是氧化铈作为高介电常数材料在硅基MOS器件中的应用。随后，文章回顾了氧化铈的一般性质及其作为高k钝化层的应用。研究还讨论了使用氧化铈种子层对氧化铈纳米结构特性的有益影响，并深入探讨了氧化铈面临的挑战以及通过向氧化铈晶格中掺杂三价阳离子来增强钝化特性的潜力。该论文的创新点在于系统地分析了氧化铈及其掺杂形式在提高介电性能方面的应用潜力。通过详细的研究，论文不仅揭示了氧化铈作为高介电常数材料的优越性，还提出了通过掺杂技术进一步优化其性能的可能性。这些发现对于开发新一代高性能电子器件具有重要的指导意义，有助于推动电子材料领域的技术进步和创新。 通过这篇综述，我们可以更清晰地理解氧化铈及其掺杂形式在电子材料领域的重要性和应用前景，为未来的研究和开发提供了宝贵的参考和启示。
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