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西安交大科研人员制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片

日期: 2025-04-18
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六方氮化硼(hBN)是重要的超宽禁带半导体材料,具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性,在深紫外发光器件和探测器领域具有重要的应用。早在2007年,科研人员就开展了对hBN材料激子发光特性的实验研究与理论分析,相关成果发表在Science期刊上(Science, 2007, 317: 932-934),并通过阴极发光(CL)测试首次证明了hBN材料具有深紫外发光特性。随着研究的发展,科研人员通过光致发光(PL)技术确定了hBN材料具有复杂的缺陷发光特性,且堆叠层错是缺陷发光的最主要诱因(ACS Photonics, 2014, 1(9): 857-862.)。基于hBN材料展现出的优异紫外发光特性,近几年应用剥离单晶hBN与石墨烯材料结合,研制出了深紫外发光器件(Nature Communications, 2021, 12(1): 7134; Advanced Materials, 2022, 34(21): 2201387.)。然而,能制备出PN结型高效率半导体发光器件一直是本领域追求的目标,hBN薄膜的n/p掺杂问题(尤其是n型掺杂)一直是重大的科学和技术难题。



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