来源：X-MOL金属-配体多重键在配位和有机金属化学中无处不在。相比之下，镧系元素-碳多重键难以形成。分离含有镧系元素-碳双键与末端甲基卡宾 （=CH2） 和镧系元素-碳三键的复合物仍然具有挑战性。在这里，我们介绍了包含在内面体富勒烯笼内的镧系元素-碳三键的合成。更具体地说，我们报道了一个封装在 C80 富勒烯笼内的铈-碳化物 [Ce≡CSc 2] 簇。通过 X 射线晶体学、光谱分析和量子化学计算研究了 Ce≡CSc2@C80 的分子结构和 Ce≡C 三键的性质。我们的数据显示 Ce≡C 距离非常短，为 1.969（7） Å。化学键分析表明，Ce≡C 键的形成主要是由于封装簇内碳和铈之间的键合亲和力比钪强。富勒烯保持架在稳定和保护具有 Ce≡C 三键的三金属碳化物簇方面起着至关重要的作用。
发布时间:
2025
-
06
-
24
浏览次数：38
附件：1、2025新材料展招展书（含参展申请表）2、新材料展展位图
发布时间:
2025
-
06
-
23
浏览次数：34
来源：中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心铁电畴壁随机存储器为解决硅基存储技术遇到的“存储墙”问题提供了切实可行的方案。相较于其他二维界面，例如晶界、相界等，铁电畴壁可以被特定的电场创建、移动以及擦除，意味着基于铁电畴壁的存储器件将更加灵活可控。然而，常规铁电畴壁作为高能界面，会出现非预期的漂移甚至湮灭，引发对数据存储可靠性的担忧；其次，现有的铁电畴壁存储器件传导电流和开关比仍处于较低水平，难以满足读写器件的性能要求；此外，在高密度铁电畴壁器件中，畴壁存在可观的体积占比，这限制了存储密度的进一步提升。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心禹日成研究员、沈希副研究员和北京科技大学苗君教授，在PbTiO3/LaAlO3体系中首次发现了常规180°铁电畴壁与反相畴界（antiphase boundary，APB）互耦的现象。通过透射电子显微学、第一性原理计算等多种手段，发现该互耦体系严格垂直于生长界面，横向厚度仅为常规畴壁的1/10。APB的钉扎属性赋予了互耦体系优异的抗干扰性能，且互耦体系可通过APB与180°常规铁电畴壁的互耦与解耦实现铁电畴极化的翻转，并可通过缺陷工程等手段调控互耦体系的物性。互耦体系的上述优点使其在打造高密度、低能耗、高耐久性及快速读写的非易失性铁电存储器件中具有优异的应用前景。
发布时间:
2025
-
06
-
23
浏览次数：33
来源：X-MOL镧系元素 （Ln） 基金属卤化物具有优异的发光特性、较大的斯托克斯位移和低毒性，作为 X 射线成像的闪烁体引起了广泛关注。然而，作为技术挑战之一，缺乏 Ln 基金属卤化物的快速和温和合成方法限制了它们的应用。在这里，得益于创新性地选择甲醇和乙醇分别作为溶剂和反溶剂，首次在室温下通过再结晶法制备了一系列 Cs3LnCl6 （Ln = Ce， Pr， Nd， Sm， Eu， Gd， Tb， Dy， Ho， Er， Tm， Yb， Lu） 微晶 （MCs）。这种再结晶方法还可以实现单元素MCs的一次大规模生产和可回收再结晶，制备高熵的五元素Cs3{TbDyHoErTm}1Cl6晶体。在这些 Cs3LnCl6 MCs 中，具有 4f → 5d 吸收转变的 Cs3TbCl6 MCs 具有最高的光致发光量子产率，为 90.8%。此外，在 X 射线照射下，Cs3TbCl6 MCs 显示出 ~51,800 个光子 MeV-1 的高产率，并且所制备的薄膜具有很好的 X 射线成像能力和出色的空间分辨率 （12 lp mm-1）。这项工作提供了一种在温和合成条件下超快制备 Ln 基金属卤化物的新方法，并突出了它们作为 X 射线成像闪烁体的优异潜力。
发布时间:
2025
-
06
-
23
浏览次数：19